Микрочиповая технология JAN1N3317B
ЯН1Н3317Б
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология JAN1N3317B
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация:-
- Запас: 3988
- Артикул: ЯН1Н3317Б
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/358 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | 18 В |
| Толерантность | ±5% |
| Мощность - Макс. | 50 Вт |
| Импеданс (Макс) (Zzt) | 2 Ом |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 10 мкА при 13,7 В |
| Напряжение — вперед (Vf) (Макс) @ If | 1,5 В @ 10 А |
| Рабочая температура | -65°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Крепление шпильки |
| Пакет/ключи | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька |
| Поставщик пакета оборудования | ДО-5 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.10.0050 |
| Стандартный пакет | 1 |
Стабилитрон 18 В 50 Вт ±5 % Крепление на шпильке ДО-5
Больше продуктов
- Диоды Инкорпорейтед 1N5228B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5230B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5231B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5232B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5233B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5234B-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5235B-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5236B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5237B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5238B-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5239B-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5240B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5241B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5242B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5243B-T