| Параметры |
| Производитель | Этрон Технология, Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM-DDR3L |
| Размер | 512 Мбит |
| Организация | 32М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 667 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 20 нс |
| Напряжение питания | 1,283 В ~ 1,45 В |
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 96-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 96-ФБГА (8х13) |
| Базовый номер продукта | EM6HB16 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0028 |
| Стандартный пакет | 1500 |
SDRAM — ИС-память DDR3L, 512 Мбит, параллельная, 667 МГц, 20 нс, 96-FBGA (8x13)