| Параметры |
| Производитель | Этрон Технология, Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM-DDR4 |
| Размер | 4Гбит |
| Организация | 512М х 8 |
| Интерфейс памяти | ПОД |
| Тактовая частота | 1333 ГГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 18 нс |
| Напряжение питания | 1,14 В ~ 1,26 В |
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 78-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 78-ФБГА (7,5х10,6) |
| Базовый номер продукта | EM6OE08 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0036 |
| Другие имена | 2174-EM6OE08NW9A-07HCT |
| Стандартный пакет | 2500 |
SDRAM — ИС-память DDR4, 4 Гбит POD, 1,333 ГГц, 18 нс, 78-FBGA (7,5x10,6)