| Параметры |
| Производитель | Эверспин Технологии Инк. |
| Ряд | EMxxLX |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | БАРАН |
| Технология | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) |
| Размер | 8Мбит |
| Организация | 1М х 8 |
| Интерфейс памяти | SPI — восьмеричный ввод-вывод |
| Тактовая частота | 200 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,65 В ~ 2 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-ВДФН Открытая площадка |
| Поставщик пакета оборудования | 8-ДФН (6х8) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Другие имена | 819-EM008LXQADG13IS1RTR |
| Стандартный пакет | 2000 г. |
MRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС память 8 Мбит SPI — восьмеричный ввод-вывод 200 МГц 8-DFN (6x8)