| Параметры |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 667 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 14 нс |
| Напряжение питания | 1425 В ~ 1575 В |
| Рабочая температура | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 96-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 96-БГА (10х13) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Другие имена | 819-EMD3D256M16G2-150CBS1RTR |
| Стандартный пакет | 2000 г. |
| Производитель | Эверспин Технологии Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | БАРАН |
| Технология | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) |
| Размер | 256Мбит |
| Организация | 16М х 16 |
MRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС память 256 Мбит, параллельная, 667 МГц, 14 нс, 96-BGA (10x13)