| Параметры |
| Производитель | Эверспин Технологии Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | БАРАН |
| Технология | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) |
| Размер | 1Гбит |
| Организация | 64М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 667 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 18 нс |
| Напряжение питания | 1,14 В ~ 1,26 В |
| Рабочая температура | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 96-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 96-БГА (10х13) |
| Базовый номер продукта | EMD4E001 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Другие имена | 819-EMD4E001G16G2-150CAS2 |
| Стандартный пакет | 190 |
MRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС память 1 Гбит, параллельная, 667 МГц, 18 нс, 96-BGA (10x13)