| Параметры |
| Производитель | Эверспин Технологии Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | БАРАН |
| Технология | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) |
| Размер | 1 Мбит |
| Организация | 128 КБ х 8 |
| Интерфейс памяти | SPI — ввод четырехвывода, QPI |
| Тактовая частота | 40 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 7 нс |
| Напряжение питания | 3 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 24-ЛБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 24-БГА (6х8) |
| Базовый номер продукта | MR10Q010 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Другие имена | 819-MR10Q010MB |
| Стандартный пакет | 480 |
MRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС память 1 Мбит SPI — Quad I/O, QPI 40 МГц 7 нс 24-BGA (6x8)