| Параметры |
| Производитель | Эверспин Технологии Инк. |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | БАРАН |
| Технология | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) |
| Размер | 128Кбит |
| Организация | 16К х 8 |
| Интерфейс памяти | СПИ |
| Тактовая частота | 40 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 2,7 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-ВДФН Открытая площадка |
| Поставщик пакета оборудования | 8-ДФН-ЭП, Малый флаг (5х6) |
| Базовый номер продукта | MR25H128 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Другие имена | 819-MR25H128ACDFRTR |
| Стандартный пакет | 4000 |
MRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС память 128 Кбит SPI 40 МГц 8-DFN-EP, малый флаг (5x6)