| Параметры | 
                                                                                                                                                      | Производитель | Эверспин Технологии Инк. | 
                                                                                                                  | Ряд | - | 
                                                                                                                  | Упаковка | Лента и катушка (TR) | 
                                                                                                                  | Статус продукта | Активный | 
                                                                                                                  | Тип | Энергонезависимый | 
                                                                                                                  | Формат памяти | БАРАН | 
                                                                                                                  | Технология | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 
                                                                                                                  | Размер | 256Кбит | 
                                                                                                                  | Организация | 32К х 8 | 
                                                                                                                  | Интерфейс памяти | СПИ | 
                                                                                                                  | Тактовая частота | 40 МГц | 
                                                                                                                  | Время цикла записи — Word, Page | - | 
                                                                                                                  | Время доступа | 9 нс | 
                                                                                                                  | Напряжение питания | 2,7 В ~ 3,6 В | 
                                                                                                                  | Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) | 
                                                                                                                  | Тип монтажа | Поверхностный монтаж | 
                                                                                                                  | Пакет/ключи | 8-ВДФН Открытая площадка | 
                                                                                                                  | Поставщик пакета оборудования | 8-ДФН-ЭП, Малый флаг (5х6) | 
                                                                                                                  | Базовый номер продукта | MR25H256 | 
                                                                                                                  | Статус RoHS | Соответствует ROHS3 | 
                                                                                                                  | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) | 
                                                                                                                  | Статус REACH | REACH не касается | 
                                                                                                                  | ECCN | EAR99 | 
                                                                                                                  | ХТСУС | 8542.32.0071 | 
                                                                                                                  | Другие имена | 819-MR25H256APDFRTR | 
                                                                                                                  | Стандартный пакет | 4000 | 
                                                                                                                                      
                                                                           MRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС память 256 Кбит SPI 40 МГц 9 нс 8-DFN-EP, малый флаг (5x6)