| Параметры |
| Производитель | Эверспин Технологии Инк. |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | БАРАН |
| Технология | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) |
| Размер | 8Мбит |
| Организация | 512К х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 35 нс |
| Время доступа | 35 нс |
| Напряжение питания | 3 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 48-ЛФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 48-ФБГА (10х10) |
| Базовый номер продукта | MR3A16 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Другие имена | 819-MR3A16ACMA35 |
| Стандартный пакет | 240 |
MRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС память 8 Мбит Параллельно 35 нс 48-FBGA (10x10)