| Параметры | 
                                                                                                                                                      | Производитель | Эверспин Технологии Инк. | 
                                                                                                                  | Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 
                                                                                                                  | Упаковка | Поднос | 
                                                                                                                  | Статус продукта | Активный | 
                                                                                                                  | Тип | Энергонезависимый | 
                                                                                                                  | Формат памяти | БАРАН | 
                                                                                                                  | Технология | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 
                                                                                                                  | Размер | 8Мбит | 
                                                                                                                  | Организация | 512К х 16 | 
                                                                                                                  | Интерфейс памяти | Параллельно | 
                                                                                                                  | Время цикла записи — Word, Page | 35 нс | 
                                                                                                                  | Время доступа | 35 нс | 
                                                                                                                  | Напряжение питания | 3 В ~ 3,6 В | 
                                                                                                                  | Рабочая температура | -40°С ~ 125°С (ТА) | 
                                                                                                                  | Тип монтажа | Поверхностный монтаж | 
                                                                                                                  | Пакет/ключи | 48-ЛФБГА | 
                                                                                                                  | Поставщик пакета оборудования | 48-ФБГА (10х10) | 
                                                                                                                  | Базовый номер продукта | MR3A16 | 
                                                                                                                  | Статус RoHS | Соответствует ROHS3 | 
                                                                                                                  | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) | 
                                                                                                                  | Статус REACH | REACH не касается | 
                                                                                                                  | ECCN | EAR99 | 
                                                                                                                  | ХТСУС | 8542.32.0071 | 
                                                                                                                  | Другие имена | 819-МР3А16АМА35 | 
                                                                                                                  | Стандартный пакет | 240 | 
                                                                                                                                      
                                                                           MRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС память 8 Мбит Параллельно 35 нс 48-FBGA (10x10)