| Параметры |
| Производитель | Эверспин Технологии Инк. |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | БАРАН |
| Технология | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) |
| Размер | 8Мбит |
| Организация | 512К х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 35 нс |
| Время доступа | 45 нс |
| Напряжение питания | 3 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 125°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 54-ЦОП2 |
| Базовый номер продукта | MR3A16 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Другие имена | 819-МР3А16АУИС45 |
| Стандартный пакет | 108 |
MRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС память 8 Мбит Параллельно 45 нс 54-TSOP2