Парметр |
Млн | Infineon Technologies |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 2,17 -ggц |
Прирост | 17,5db |
В конце | 30 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 1,3 а |
Питани - В.О. | 40 |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 2-Flatpack, FIN Leads, Flanged |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | H-34288-4/2 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | SP000865676 |
Станодадж | 250 |
RF MOSFET 30- 1,3 A 2,17-ggц 17,5 дБ 40 th H-34288-4/2