Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL,RQ

ТК4Р4П06ПЛ,РК

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL,RQ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: ТК4Р4П06ПЛ,РК
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $1,4500

Дополнительная цена:$1,4500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-MOSIX-H
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 58А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,4 мОм при 29 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 500 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 48,2 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3280 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 87 Вт (Тс)
Рабочая температура 175°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ДПАК
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта ТК4Р4П06
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
N-канальный 60 В 58 А (Tc) 87 Вт (Tc) для поверхностного монтажа DPAK

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.