Fairchild Semiconductor HGT1S12N60A4DS
IGBT, 54A, 600V, N-KANAL, DO-2
- Проиджоделх: Fairchild Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: Fairchild Semiconductor HGT1S12N60A4DS
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 2
- Sku: HGT1S12N60A4DS
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 54 а |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 96 а |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2,7 В @ 15 В, 12а |
| Синла - МАКС | 167 Вт |
| Переклхейн | 55 мкж (wklючen), 50 мкд (vыklючen) |
| ТИПВ | Станода |
| ЗArAd -vvoROT | 120 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 17ns/96ns |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 390V, 12A, 10OM, 15 В |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 30 млн |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-263AB |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 0000.00.0000 |
| Станодадж | 1 |
| Млн | Fairchild Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | - |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 600 |
IGBT 600 V 54 A 167
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F