Fairchild Semiconductor HGT1S12N60A4DS

БТИЗ, 54А, 600В, Н-КАНАЛЬНЫЙ, ТО-2

Производитель: Фэйрчайлд Полупроводник
Номер производителя: Fairchild Semiconductor HGT1S12N60A4DS
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2
Артикул: ХГТ1С12Н60А4ДС
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.7100

Дополнительная цена:$3.7100

Подробности

Параметры
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	54 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	96 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,7 В @ 15 В, 12 А
Мощность - Макс.	167 Вт
Переключение энергии	55 мкДж (вкл.), 50 мкДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	120 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	17 нс/96 нс
Условия испытаний	390В, 12А, 10Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr)	30 нс
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Поставщик пакета оборудования	ТО-263АБ
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	Затронуто REACH
ECCN	EAR99
ХТСУС	0000.00.0000
Стандартный пакет	1
Производитель	Фэйрчайлд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	-
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	600 В

IGBT 600 В 54 А 167 Вт для внешнего монтажа TO-263AB