Парметр |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 6,5а |
Rds on (max) @ id, vgs | 29mohm @ 5.8a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 1В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 33NC @ 10V |
Взёр. | 650pf @ 25v |
Синла - МАКС | 2W |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 ТАКОГО |
Baзowый nomer prodikta | IRF731 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 4000 |
Млн | Infineon Technologies |
В припании | - |
Упако | Веса |
Степень Продукта | Управо |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 n-канал (Дзонано) |
FET FUONKSHINA | - |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
MOSFET ARRAY 30 В 6,5A 2 Вт.