Парметр |
Млн | Infineon Technologies |
В припании | - |
Упако | Веса |
Степень Продукта | Управо |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 P-KANOL (DVOйNOй) |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 5.2a |
Rds on (max) @ id, vgs | 58mohm @ 5,2a, 4,5 |
Vgs (th) (max) @ id | 700 м. @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 29nc @ 4,5 |
Взёр. | 913pf @ 15v |
Синла - МАКС | 2,4 |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 ТАКОГО |
Baзowый nomer prodikta | IRF731 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 4000 |
MOSFET ARRAY 20 В 5,2A 2,4