Infineon Technologies IPB65R065C7ATMA1 - Infineon Technologies Fets, Mosfets - Bom, Distributor, Quick Cotatation 365day Garranty
Русский
search
product_banner
Infineon Technologies IPB65R065C7ATMA1

Infineon Technologies IPB65R065C7ATMA1

IPB65R065C7ATMA1

  • Проиджоделх: Infineon Technologies
  • NoMerPOIзVODITELEL: Infineon Technologies IPB65R065C7ATMA1
  • Епаково: Lenta и катахка (tr)
  • Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
  • ЗapaS: 5514
  • Sku: IPB65R065C7ATMA1
  • Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подробнеси

Теги

Парметр
Манера Infineon Technologies
В припании Coolmos ™ P6
Упако Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта Prekraщen-digi-key
ТИП ФЕТ N-канал
Тела МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) 600
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C 7.3a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) 10 В
Rds on (max) @ id, vgs 600 мм @ 2,4a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id 4,5 - @ 200 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs 12 NC @ 10 V
Vgs (mmaks) ± 20 В.
Взёр. 557 pf @ 100 v
FET FUONKSHINA -
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) 171W (TC)
Rraboч -yemperatura -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ PG-TO263-3
PakeT / KORPUES TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB
Baзowый nomer prodikta IPB65R
Статус Ройс Rohs3
Вернояж 1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса DOSTISH
Eccn Ear99
Htsus 8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА SP001080110
Станодадж 1000
N-kanal 600-7,3а (TC) 171W (TC) PoverхnoStnoe

Болх

Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть