Infineon Technologies IPD65R250E6XTMA1
IPD65R250E6XTMA1
- Проиджоделх: Infineon Technologies
- NoMerPOIзVODITELEL: Infineon Technologies IPD65R250E6XTMA1
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 1876
- Sku: IPD65R250E6XTMA1
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодадж | 2500 |
| Млн | Infineon Technologies |
| В припании | Coolmos ™ E6 |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 650 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 16.1a (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
| Rds on (max) @ id, vgs | 250 мох |
| Vgs (th) (max) @ id | 3,5 В @ 400 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 45 NC @ 10 V |
| Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
| Взёр. | 950 PF @ 1000 |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 208W (TC) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | PG-TO252-3 |
| PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
| Baзowый nomer prodikta | IPD65R |
N-kanal 650-16,1a (tc) 208w (tc) poverхnostnoe
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740