Парметр | |
---|---|
Млн | Infineon Technologies |
В припании | - |
Упако | Полески |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 1 805 ~ 1,88 гг. |
Прирост | 16,5db |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 550 май |
Питани - В.О. | 70 Вт |
Napraheneee - оинка | 65 |
PakeT / KORPUES | 2-FLATPACK, FIN LEADS |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | H-37265-2 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | SP001422968 |
Станодадж | 50 |