| Парметр | |
|---|---|
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 114W (TC) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 252AA |
| PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
| Baзowый nomer prodikta | Ixfy5n50 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодадж | 70 |
| Млн | Ixys |
| В припании | Hiperfet ™, Polar3 ™ |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 500 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 5А (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
| Rds on (max) @ id, vgs | 1,65OM @ 2,5A, 10 В |
| Vgs (th) (max) @ id | 5V @ 1MA |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 6,9 NC @ 10 V |
| Vgs (mmaks) | ± 30 v |
| Взёр. | 370 pf @ 25 v |
N-kanal 500-5а (Tc) 114w (tc) poverхnosstnoe krepleplenee odot 252aa
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740