Парметр |
Млн | Freescale Semiconductor |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | Дон |
ЧastoTA | 181 год |
Прирост | 17,5db |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 800 млн |
Питани - В.О. | 63 Вт |
Napraheneee - оинка | 65 |
PakeT / KORPUES | OM-1230-4L2L |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | OM-1230-4L2L |
Baзowый nomer prodikta | AFT18 |
Статус Ройс | Neprigodnnый |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Станодар | 1 |
RF MOSFET 28 V 800-мам 1,81-ggц 17,5db 63W OM-1230-4L2L