Парметр |
Млн | Freescale Semiconductor |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | Дон |
ЧastoTA | 2496 гг ~ 2,69 гг. |
Прирост | 14.2db |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 100 май |
Питани - В.О. | 9 Вт |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | Ni-780S-4L4L-8 |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ni-780S-4L4L-8 |
Статус Ройс | Neprigodnnый |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0040 |
Станодар | 250 |
RF MOSFET 28 V 100 мам 2 496 гг ~ 2,69 гг 14,2DB 9W NI-780S-4L4L-8