Парметр |
Млн | Freescale Semiconductor |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | Дон |
ЧastoTA | 470 мг ~ 860 мг |
Прирост | 22,5db |
В конце | 50 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 1,4 а |
Питани - В.О. | 450 Вт |
Napraheneee - оинка | 110 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | NI-1230-4S |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | NI-1230-4S |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Станодар | 50 |
RF MOSFET 50- 1,4 A 470 MMGц ~ 860 MMGц 22,5 DB 450W NI-1230-4S