Парметр |
Млн | Infineon Technologies |
В припании | Hexfet® |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 n-канал (Дзонано) |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstoчnica naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 7.8a, 8.9a |
Rds on (max) @ id, vgs | 21,8mohm @ 7,8a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2,25 Е @ 25 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 6,9NC @ 4,5 |
Взёр. | 600pf @ 15v |
Синла - МАКС | 2W |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 ТАКОГО |
Baзowый nomer prodikta | IRF7905 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 4000 |
MOSFET ARRAY 30 В 7,8A, 8,9A 2 Вт.