Infineon Technologies IRFH5025TR2PBF — Infineon Technologies FET, MOSFET — спецификация, чип-дистрибьютор, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies IRFH5025TR2PBF

IRFH5025TR2PBF

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies IRFH5025TR2PBF
  • Упаковка: Разрезанная лента (CT)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1451
  • Артикул: IRFH5025TR2PBF
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Разрезанная лента (CT)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 250 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3,8 А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 100 мОм при 5,7 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 150 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 56 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2150 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-PQFN (5x6)
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 400
Н-канал, 250 В, 3,8 А (Ta), для наружного монтажа 8-PQFN (5х6)