| Парметр | |
|---|---|
| Млн | NXP USA Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| Это | Npn |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 15 |
| ASTOTA - PRERESHOD | 9 -е |
| ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F) | 1,1db ~ 2,1db пр. 900 мг. |
| Прирост | - |
| Синла - МАКС | 300 м |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 60 @ 20 май, 6 В |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 70 май |
| Rraboч -yemperatura | 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | SC-70, SOT-323 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | SC-70 |
| Baзowый nomer prodikta | BFS52 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0075 |
| Дрогин ИНЕНА | 934021420135 |
| Станодар | 10000 |
RF Transistor NPN 15V 70MA 9 -ggц 300 м
