GaNPower GPI65015TO

ГАНФЕТ Н-Ч 650В 15А ТО220

Производитель: GaNPower
Номер производителя: GaNPower GPI65015TO
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 4358
Артикул: GPI65015ТО
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $7.5000

Дополнительная цена:$7.5000

Подробности

Параметры
Производитель	GaNPower
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	15А
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	6В
Vgs(th) (Макс) @ Id	1,2 В при 3,5 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	3,3 нк при 6 В
ВГС (Макс)	+7,5 В, -12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	123 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	Править
Пакет/ключи	Править
Статус RoHS	Непригодный
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Поставщик не определен
Статус REACH	Поставщик не определен
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	4025-ГПИ65015ТО
Стандартный пакет	1

N-канальный кристалл для внутреннего монтажа, 650 В, 15 А