GaNPower GPIHV30DFN

ГАНФЕТ Н-Ч 1200В 30А DFN8X8

Производитель: GaNPower
Номер производителя: GaNPower GPIHV30DFN
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 128
Артикул: GPIHV30DFN
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $22.0000

Дополнительная цена:$22.0000

Подробности

Параметры
Производитель	GaNPower
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	30А
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	6В
Vgs(th) (Макс) @ Id	1,4 В при 3,5 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	8,25 НК при 6 В
ВГС (Макс)	+7,5 В, -12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	236 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	Править
Пакет/ключи	Править
Статус RoHS	Непригодный
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Поставщик не определен
Статус REACH	Поставщик не определен
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	4025-GPIHV30DFNTR
Стандартный пакет	1

N-канальный кристалл для внутреннего монтажа, 1200 В, 30 А