GaNPower GPIRGIC15DFV — полевые транзисторы GaNPower, МОП-транзисторы — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

GaNPower GPIRGIC15DFV

Силовая ИС на базе Power GaN HEMT

  • Производитель: GaNPower
  • Номер производителя: GaNPower GPIRGIC15DFV
  • Упаковка: Сумка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 424
  • Артикул: ГПИРГИК15ДФВ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $9.3600

Дополнительная цена:$9.3600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель GaNPower
Ряд -
Упаковка Сумка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 900 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2,5 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 5В, 8В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 105 мОм при 2,5 А, 0 В
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (8х8)
Пакет/ключи 8-WDFN Открытая площадка
Другие имена 4025-GPIRGIC15DFV
Стандартный пакет 5
Н-канал 900 В 2,5 А (Tc) для внешнего монтажа 8-DFN (8x8)