GaNPower GPIXV30DFN — полевые транзисторы GaNPower, МОП-транзисторы — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

GaNPower GPIXV30DFN

ГАНФЕТ Н-Ч 1200В 30А DFN8X8

  • Производитель: GaNPower
  • Номер производителя: GaNPower GPIXV30DFN
  • Упаковка: Сумка
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 5722
  • Артикул: GPIXV30DFN
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель GaNPower
Ряд -
Упаковка Сумка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30А
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) -
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Макс) @ Id -
ВГС (Макс) -
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) -
Рабочая температура -
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (8х8)
Пакет/ключи 8-WDFN Открытая площадка
Другие имена 4025-GPIXV30DFN
Стандартный пакет 1
Н-канальный, 1200 В, 30 А, для внешнего монтажа 8-DFN (8х8)