GE Aerospace GE12050EEA3 — полевые транзисторы GE Aerospace, полевые МОП-транзисторы — спецификация, поставщик микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

GE Аэроспейс GE12050EEA3

1200 В, 475 А, 6-компонентный SiC-модуль

  • Производитель: ГЭ Аэроспейс
  • Номер производителя: GE Аэроспейс GE12050EEA3
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9
  • Артикул: GE12050EEA3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.0000

Дополнительная цена:$3.0000

Подробности

Теги

Параметры
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 4014-GE12050EEA3
Стандартный пакет 1
Производитель ГЭ Аэроспейс
Ряд Карбид кремния
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Технология Карбид кремния (SiC)
Конфигурация 6 Н-каналов (3-фазный мост)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В (1,2 кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 475А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,4 мОм при 475 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,5 В @ 160 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1248 НК при 18 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 29300пФ при 600В
Мощность - Макс. 1250 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (Тс)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования -
Базовый номер продукта GE12050
Статус RoHS не соответствует RoHS
Массив МОП-транзисторов 1200 В (1,2 кВ), 475 А (Tc) 1250 Вт (Tc) Монтаж на шасси