Полупроводник GeneSiC G2R1000MT17D

НИЦ МОП-транзистор Н-Ч 4А ТО247-3

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: Полупроводник GeneSiC G2R1000MT17D
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 717
Артикул: Г2Р1000МТ17Д
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $5.4400

Дополнительная цена:$5.4400

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	Г2Р™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1700 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	5А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	20 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	1,2 Ом при 2 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	5,5 В при 500 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	11 НК при 20 В
ВГС (Макс)	+25В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	111 пФ при 1000 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	44 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-3
Пакет/ключи	ТО-247-3
Базовый номер продукта	G2R1000
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	1242-Г2Р1000МТ17Д
Стандартный пакет	30

N-канал 1700 В 5 А (Tc) 44 Вт (Tc) сквозное отверстие ТО-247-3