Полупроводник GeneSiC G2R1000MT33J
НИЦ МОП-транзистор Н-Ч 4А ТО263-7
- Производитель: GeneSiC Полупроводник
- Номер производителя: Полупроводник GeneSiC G2R1000MT33J
- Упаковка: Трубка
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 1
- Артикул: G2R1000MT33J
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | GeneSiC Полупроводник |
| Ряд | Г2Р™ |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | SiCFET (карбид кремния) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 3300 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 4А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 20 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 1,2 Ом при 2 А, 20 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3,5 В при 2 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 21 НК при 20 В |
| ВГС (Макс) | +20В, -5В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 238 пФ при 1000 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 74 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-263-7 |
| Пакет/ключи | ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА |
| Базовый номер продукта | G2R1000 |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 1242-G2R1000MT33J |
| Стандартный пакет | 50 |
Н-канальный 3300 В, 4 А (Tc) 74 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-263-7
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740