GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K - GeneSiC Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Полупроводник GeneSiC G2R50MT33K

3300В 50М ТО-247-4 МОП-транзистор НИЦ

  • Производитель: GeneSiC Полупроводник
  • Номер производителя: Полупроводник GeneSiC G2R50MT33K
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 78
  • Артикул: Г2Р50МТ33К
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $295,6700

Дополнительная цена:$295,6700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель GeneSiC Полупроводник
Ряд Г2Р™
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 3300 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 63А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 20 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 50 мОм при 40 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В @ 10 мА (тип.)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 340 НК при 20 В
ВГС (Макс) +25В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7301 пФ при 1000 В
Особенность левого транзистора Стандартный
Рассеиваемая мощность (макс.) 536 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247-4
Пакет/ключи ТО-247-4
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 1242-Г2Р50МТ33К
Стандартный пакет 30
Н-канал 3300 В 63 А (Тс) 536 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-4