GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N - GeneSiC Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Полупроводник GeneSiC G3R20MT17N

SIC MOSFET N-CH 100A SOT227

  • Производитель: GeneSiC Полупроводник
  • Номер производителя: Полупроводник GeneSiC G3R20MT17N
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 47
  • Артикул: Г3Р20МТ17Н
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $135.4600

Дополнительная цена:$135.4600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель GeneSiC Полупроводник
Ряд G3R™
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 15 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 26 мОм при 75 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,7 В при 15 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 400 НК при 15 В
ВГС (Макс) ±15 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10187 пФ при 1000 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 523 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Поставщик пакета оборудования СОТ-227
Пакет/ключи СОТ-227-4, миниБЛОК
Базовый номер продукта Г3Р20
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 1242-Г3Р20МТ17Н
Стандартный пакет 10
N-канальный 1700 В 100 А (Tc) 523 Вт (Tc) Монтаж на шасси SOT-227