Полупроводник GeneSiC G3R30MT12K

НИЦ МОП-транзистор Н-Ч 90А ТО247-4

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: Полупроводник GeneSiC G3R30MT12K
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 844
Артикул: Г3Р30МТ12К
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $22.5300

Дополнительная цена:$22.5300

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	G3R™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	90А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	15 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	36 мОм при 50 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,69 В при 12 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	155 НК при 15 В
ВГС (Макс)	±15 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	3901 пФ при 800 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	400 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-4
Пакет/ключи	ТО-247-4
Базовый номер продукта	Г3Р30
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	1242-Г3Р30МТ12К
Стандартный пакет	30

Н-канальный 1200 В 90 А (Тс) 400 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-4