Полупроводник GeneSiC G3R350MT12D

НИЦ МОП-транзистор Н-Ч 11А ТО247-3

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: Полупроводник GeneSiC G3R350MT12D
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3
Артикул: Г3Р350МТ12Д
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4.7400

Дополнительная цена:$4.7400

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	G3R™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	11А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	15 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	420 мОм при 4 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,69 В @ 2 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	12 НК при 15 В
ВГС (Макс)	±15 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	334 пФ при 800 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	74 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-3
Пакет/ключи	ТО-247-3
Базовый номер продукта	Г3Р350
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	1242-Г3Р350МТ12Д
Стандартный пакет	30

N-канал 1200 В 11 А (Tc) 74 Вт (Tc) сквозное отверстие ТО-247-3