GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J - GeneSiC Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Полупроводник GeneSiC G3R450MT17J

НИЦ МОП-транзистор Н-Ч 9А ТО263-7

  • Производитель: GeneSiC Полупроводник
  • Номер производителя: Полупроводник GeneSiC G3R450MT17J
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7
  • Артикул: G3R450MT17J
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $8.0400

Дополнительная цена:$8.0400

Подробности

Теги

Параметры
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 585 мОм при 4 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,7 В при 2 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18 НК @ 15 В
ВГС (Макс) ±15 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 454 пФ при 1000 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 91 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-263-7
Пакет/ключи ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА
Базовый номер продукта Г3Р450
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 1242-G3R450MT17J
Стандартный пакет 50
Производитель GeneSiC Полупроводник
Ряд G3R™
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9А (Тц)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 15 В
Н-канальный 1700 В, 9 А (Tc) 91 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-263-7