GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J - GeneSiC Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Полупроводник GeneSiC G3R60MT07J

750 В 60 М ТО-263-7 G3R SIC МОП-транзистор

  • Производитель: GeneSiC Полупроводник
  • Номер производителя: Полупроводник GeneSiC G3R60MT07J
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: G3R60MT07J
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $10.7000

Дополнительная цена:$10.7000

Подробности

Теги

Параметры
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 1242-G3R60MT07J
Стандартный пакет 50
Производитель GeneSiC Полупроводник
Ряд G3R™
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора -
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 750 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C -
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) -
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Макс) @ Id -
ВГС (Макс) +20В, -10В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) -
Рабочая температура -
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-263-7
Пакет/ключи ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА
Статус RoHS Соответствует ROHS3
750 В для поверхностного монтажа ТО-263-7