GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K - GeneSiC Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Полупроводник GeneSiC G3R75MT12K

НИЦ МОП-транзистор Н-Ч 41А ТО247-4

  • Производитель: GeneSiC Полупроводник
  • Номер производителя: Полупроводник GeneSiC G3R75MT12K
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: Г3Р75МТ12К
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $10.7700

Дополнительная цена:$10.7700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель GeneSiC Полупроводник
Ряд G3R™
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 41А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 15 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 90 мОм при 20 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,69 В @ 7,5 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 54 НК при 15 В
ВГС (Макс) ±15 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1560 пФ при 800 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 207 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247-4
Пакет/ключи ТО-247-4
Базовый номер продукта Г3Р75
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 1242-Г3Р75МТ12К
Стандартный пакет 30
Н-канал 1200 В 41 А (Тс) 207 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-4