GeneSiC Semiconductor GBJ25M — Полупроводниковые диоды GeneSiC — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

GeneSiC Полупроводниковый GBJ25M

ОДНОФАЗНЫЙ МОСТ 1000 В, 25 А, GBJ

  • Производитель: GeneSiC Полупроводник
  • Номер производителя: GeneSiC Полупроводниковый GBJ25M
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5622
  • Артикул: ГБДЖ25М
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9795

Дополнительная цена:$0,9795

Подробности

Теги

Параметры
Пакет/ключи 4-СИП, ГБЖ
Поставщик пакета оборудования ГБЖ
Базовый номер продукта GBJ25
Статус RoHS Соответствует ROHS3
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.10.0080
Другие имена 1242-GBJ25M
Стандартный пакет 200
Производитель GeneSiC Полупроводник
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип диода Однофазный
Технология Стандартный
Напряжение — пиковое обратное (макс.) 1 кВ
Ток – средний выпрямленный (Io) 25 А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If 1,05 В @ 12,5 А
Ток – обратная утечка @ Vr 10 мкА при 1000 В
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Мостовой выпрямитель, стандартный, однофазный, 1 кВ, сквозное отверстие GBJ