GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A

ДИОД SIL CARB 1.2КВ 25А ТО220-2

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1
Артикул: ГД10МПС12А
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4.1200

Дополнительная цена:$4.1200

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	Карбид кремния Шоттки MPS™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	1200 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	25А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,8 В при 10 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	5 мкА при 1200 В
Эмкость @ Вр, Ф	367пФ @ 1В, 1МГц
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-220-2
Поставщик пакета оборудования	ТО-220-2
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	1242-ГД10МПС12А
Стандартный пакет	50

Диод 1200 В 25А Сквозной ТО-220-2