GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E

ДИОД SIL CARB 1.2КВ 29А ТО252-2

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 5703
Артикул: GD10MPS12E
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.8000

Дополнительная цена:$3.8000

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	Карбид кремния Шоттки MPS™
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	1200 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	29А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,8 В при 10 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	5 мкА при 1200 В
Эмкость @ Вр, Ф	367пФ @ 1В, 1МГц
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Поставщик пакета оборудования	ТО-252-2
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	2500

Диод 1200 В 29А для поверхностного монтажа ТО-252-2