GeneSiC Semiconductor GD2X20MPS12D

1200В 40А ТО-247-3 СИК ШОТТК

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Semiconductor GD2X20MPS12D
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 576
Артикул: GD2X20MPS12D
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $15.2500

Дополнительная цена:$15.2500

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	Карбид кремния Шоттки MPS™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Конфигурация диода	1 пара с общим катодом
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	1200 В
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)	39А (постоянный ток)
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,8 В при 20 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	10 мкА при 1200 В
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-3
Базовый номер продукта	GD2X
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	1242-ГД2С20МПС12Д
Стандартный пакет	30

Диодная матрица, 1 пара, общий катод, 1200 В, 39 А (постоянный ток), сквозное отверстие ТО-247-3