GeneSiC Semiconductor GD2X50MPS12N

1200В 100А SOT-227 SIC SCHOTKY

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Semiconductor GD2X50MPS12N
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 135
Артикул: ГД2С50МПС12Н
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $46.3900

Дополнительная цена:$46.3900

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	Карбид кремния Шоттки MPS™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Конфигурация диода	2 независимых
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	1200 В
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)	76А (постоянный ток)
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,8 В при 50 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	15 мкА при 1200 В
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	СОТ-227-4, миниБЛОК
Поставщик пакета оборудования	СОТ-227
Базовый номер продукта	GD2X
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	1242-ГД2С50МПС12Н
Стандартный пакет	10

Диодная массив 2 независимых, 1200 В, 76 А (постоянный ток), для монтажа на кронштейн SOT-227-4, miniBLOC