GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J

ДИОД SIL CARB 650V 51A TO263-7

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 733
Артикул: GD30MPS06J
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $6.4200

Дополнительная цена:$6.4200

Подробности

Параметры
Стандартный пакет	50
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	Карбид кремния Шоттки MPS™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	650 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	51А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Эмкость @ Вр, Ф	735пФ @ 1В, 1МГц
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА
Поставщик пакета оборудования	ТО-263-7
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Базовый номер продукта	GD30MPS06
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	1242-GD30MPS06J

Диод 650 В 51А для поверхностного монтажа ТО-263-7