GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H

ДИОД SIL CARB 1.2КВ 55А ТО247-2

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 980
Артикул: GD30MPS12H
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $10.4700

Дополнительная цена:$10.4700

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	Карбид кремния Шоттки MPS™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	1200 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	55А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,8 В при 30 А
Скорость	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)
Ток – обратная утечка @ Vr	20 мкА при 1200 В
Эмкость @ Вр, Ф	1101пФ @ 1В, 1МГц
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-2
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-2
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	1242-ГД30МПС12Х
Стандартный пакет	30

Диод 1200 В 55А Сквозной ТО-247-2