GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H

ДИОД SIL CARB 650В 82А ТО247-2

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1
Артикул: GD60MPS06H
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $12.7400

Дополнительная цена:$12.7400

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	Карбид кремния Шоттки MPS™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	650 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	82А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,8 В при 60 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	10 мкА при 650 В
Эмкость @ Вр, Ф	1463пФ @ 1В, 1МГц
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-2
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-2
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Базовый номер продукта	ГД60
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	1242-GD60MPS06H
Стандартный пакет	30

Диод 650 В 82А Сквозной ТО-247-2