Полупроводник GeneSiC GE04MPS06E

ДИОД SIL CARB 650В 11А ТО252-2

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: Полупроводник GeneSiC GE04MPS06E
Упаковка: Разрезанная лента (CT)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2
Артикул: GE04MPS06E
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,6500

Дополнительная цена:$1,6500

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	Карбид кремния Шоттки MPS™
Упаковка	Разрезанная лента (CT)
Статус продукта	Производство постоянно в Digi-Key
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	650 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	11А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,35 В при 4 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	5 мкА при 650 В
Эмкость @ Вр, Ф	186пФ @ 1В, 1МГц
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Поставщик пакета оборудования	ТО-252-2
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	2500

Диод 650 В 11А для поверхностного монтажа ТО-252-2